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在半導(dǎo)體制造中，晶圓表面缺陷與焊點(diǎn)質(zhì)量檢測(cè)是保障芯片良率與可靠性的核心環(huán)節(jié)。前者聚焦于納米級(jí)表面完整性，后者則關(guān)乎封裝結(jié)構(gòu)的電學(xué)與機(jī)械穩(wěn)定性。兩者通過(guò)光學(xué)、聲學(xué)及人工智能技術(shù)的深度融合，構(gòu)建起從晶圓制造到封裝測(cè)試的全流程質(zhì)量防線。一、晶圓表...
等離子清洗是等離子表面改性的其中較為常見的一種方式。等離子清洗的作用主要是：（1）對(duì)材料表面的刻蝕作用--物理作用等離子體中的大量離子、激發(fā)態(tài)分子、自由基等多種活性粒子，作用到固體樣品表面，不但清除了表面原有的污染物和雜質(zhì)，而且會(huì)產(chǎn)生刻蝕作用，將樣品表面變粗糙，形成許多微細(xì)坑洼，增大了樣品的比表面。提高固體表面的潤(rùn)濕性能。（2）激活鍵能，交聯(lián)作用等離子體中的粒子能量在0~20eV，而聚合物中大部分的鍵能在0~10eV，因此等離子體作用到固體表面后，可以將固體表面的原有的化學(xué)鍵...
應(yīng)力測(cè)量?jī)x是一種非常重要的儀器設(shè)備，廣泛應(yīng)用于各個(gè)行業(yè)中的檢測(cè)、測(cè)量、測(cè)試等工作中。它的原理和特點(diǎn)極其受到人們的關(guān)注，接下來(lái)我們來(lái)仔細(xì)解析一下。1.原理：本儀器的原理主要是基于引伸計(jì)原理，即用金屬的彈性變形作為測(cè)量物理量的基礎(chǔ)。當(dāng)受到外力作用時(shí)，金屬材料會(huì)產(chǎn)生彈性變形，這種變形與外力大小和材料的性質(zhì)有關(guān)。通過(guò)將應(yīng)變信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)，利用電路將電信號(hào)放大一定倍數(shù)以后測(cè)量讀數(shù)，即可得到材料受力情況的數(shù)據(jù)。不同類型的應(yīng)力測(cè)量?jī)x，其原理會(huì)有所不同。2.特點(diǎn)：（1）精度高：由于應(yīng)力測(cè)量...
光刻技術(shù)與我們的生活息息相關(guān)，我們用的手機(jī)，電腦等各種各樣的電子產(chǎn)品，里面的芯片制作離不開光科技束。如今的世界是一個(gè)信息社會(huì)，各種各樣的信息流在世界流動(dòng)。而光刻機(jī)是保證制造承載信息的載體。在社會(huì)上擁有不可替代的作用。掩模對(duì)準(zhǔn)光刻機(jī)系統(tǒng)增加了對(duì)準(zhǔn)精度，該系列包括了光刻機(jī)、W2W接合曝光和對(duì)準(zhǔn)檢測(cè)設(shè)備。1、光刻機(jī)：分別可以處理從小于5mm到150mm和從3英寸到200mm襯底－擁有一系列先進(jìn)的功能和特點(diǎn)，包括一個(gè)花崗巖基座、主動(dòng)式隔振裝置和線性馬達(dá)，以達(dá)到更高的精度和生產(chǎn)量要求。...
近幾十年來(lái)，隨著微電子技術(shù)的發(fā)展，高性能、小外形、低成本的電子產(chǎn)品已成為市場(chǎng)的基本需求。集成電路上可容納元器件的數(shù)目是符合摩爾定律預(yù)測(cè)的。但是近年來(lái)傳統(tǒng)的集成電路增長(zhǎng)趨勢(shì)開始和摩爾定律的理想模型出現(xiàn)了差別。隨著手機(jī)和各種電子產(chǎn)品的快速發(fā)展，芯片的功能也越來(lái)越復(fù)雜，芯片上集成晶體管的數(shù)目也隨著越來(lái)越多，同時(shí)也引起了集成電路體積的增大和功耗增高。當(dāng)晶體管的柵極長(zhǎng)度和氧化層厚度都接近物理極限的時(shí)候，二維集成最終將走到道路的盡頭。遵循摩爾定律的三維集成技術(shù)可以作為解決上述問(wèn)題的方案。...
晶圓鍵合機(jī)的晶圓級(jí)三維集成是一個(gè)新的概念，利用許多高級(jí)技術(shù)實(shí)現(xiàn)電路密度的增加和體積的縮小。下面介紹三項(xiàng)重要的關(guān)鍵技術(shù)。1、對(duì)準(zhǔn)和鍵合：對(duì)準(zhǔn)不精確導(dǎo)致電路故障或可靠性差。因此，對(duì)準(zhǔn)精度的高低主導(dǎo)了的晶片接觸面積和三維集成電路堆疊的成品率。對(duì)準(zhǔn)精度與對(duì)準(zhǔn)器和對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記有關(guān)。也受操作員個(gè)人經(jīng)驗(yàn)的影響。銅被廣泛用于標(biāo)準(zhǔn)CMOS制造中。因此，銅是三維集成中連接兩個(gè)設(shè)備層或晶圓的較好的選擇。銅晶圓鍵合的原理是讓兩個(gè)晶片接觸然后熱壓縮。在鍵合過(guò)程中，兩個(gè)晶片的銅層可以相互擴(kuò)散以完成鍵合過(guò)程。...