接觸式光刻機的核心原理就是一個透鏡組，在精度上首先咱們有個概念：我們現(xiàn)在芯片的線條精度已發(fā)展到10nm級別，而較大的原子直徑是將近1nm，我們把芯片放在電子顯微鏡下即可清晰地數(shù)出每個線條上有幾個原子，“調(diào)節(jié)屈光度”是典型的幾何光學（初等光學）概念，遠遠實現(xiàn)不了這個精度。

 

　　接觸式光刻機的曝光方式：

　　主要有三種，分別是接觸式曝光、非接觸式曝光和投影式曝光。

　　1、接觸式曝光：就是將掩膜與還沒加工基片的光膠層直接接觸并進行的曝光；

　　2、非接觸式曝光：是指掩膜和基片的光膠層不直接接觸來實現(xiàn)圖形復印的曝光；

　　3、投影式曝光：是指掩膜與基片不直接接觸，但用投影儀分方式來實現(xiàn)圖形轉移。

 

　　接觸式光刻機的主要性能指標有：

　　支持基片的尺寸范圍，分辨率、對準精度、曝光方式、光源波長、光強均勻性、生產(chǎn)效率等。

　　分辨率是對光刻工藝加工可以達到的最細線條精度的一種描述方式。光刻的分辨率受受光源衍射的限制，所以與光源、光刻系統(tǒng)、光刻膠和工藝等各方面的限制。

　　對準精度是在多層曝光時層間圖案的定位精度。

　　曝光方式分為接觸接近式、投影式和直寫式。

　　曝光光源波長分為紫外、深紫外和極紫外區(qū)域，光源有汞燈，準分子激光器等。